??一般高速的DIODE的I2t值比低速的DIODE要小的多，因此我們?cè)谶x用整流橋或者二極管時(shí)需要明確以下幾點(diǎn)：

一、I2t和max不可重復(fù)正向電流有什么關(guān)系？

開(kāi)機(jī)時(shí)的沖擊電流波形：

舉例：

KBP808的不可重復(fù)峰值電流max（8.6ms正弦半波）是50A，換算成I2T是10.75A2s。

如果電解電容是200UF，NTC電阻滿載升溫后1歐姆，則滿載關(guān)機(jī)馬上開(kāi)機(jī)條件下，如果開(kāi)機(jī)瞬間整流后電壓350V，實(shí)際承受的I2T是12.25A2s，超出可承受的瞬時(shí)電流。

二、選用整流橋時(shí)要考慮實(shí)際選用的電解電容和NTC？

啟動(dòng)電阻的功耗：

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