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臺(tái)灣ASEMI
臺(tái)灣ASEMI
一致性
經(jīng)常換便宜的芯片供應(yīng)產(chǎn)商,即使沒有
更換供應(yīng)商,因國內(nèi)工藝及成本控制問題
也會(huì)導(dǎo)致每一批的芯片參數(shù)不同,導(dǎo)致
生產(chǎn)出來的成品一致性也不好。這就是為什
么你上一批材料做出來的產(chǎn)品合格,這批
材料就不和格的困擾所在了。
一致性穩(wěn)定，大多采用臺(tái)灣波藍(lán)膜
GPP芯片,穩(wěn)定供應(yīng)商和工藝,整流
橋一致性穩(wěn)定可靠,出口標(biāo)準(zhǔn)。
TIR那一行是代表在測(cè)試反向漏電流，單位是uA
ASEMI ≤2UA
ASEMI 品牌整流橋嚴(yán)格按照反向漏電流≤2UA來測(cè)試出貨,
并且實(shí)際參數(shù)一般都小于1uA
國產(chǎn)≤5UA
國產(chǎn)其他品牌是按照≤2UA來測(cè)試出貨或者標(biāo)準(zhǔn)更松。
作為工程合計(jì)人員的您，一定明白,反向漏電流由于半導(dǎo)體體特性是不可避免的,但是反向
漏電越小越好,在常溫下,沒有太大區(qū)別,但是隨著溫度的上升,反向漏電會(huì)呈倍數(shù)增大,
反向漏電越大,溫度高了,越容易擊穿損壞,所以ASEMI嚴(yán)控反向漏電測(cè)試
VZ1和VZ2兩行數(shù)據(jù)代表在測(cè)試V即加嚴(yán)測(cè)試試產(chǎn)品芯片
的離散型,單位是V,上下兩行的數(shù)值差就是離散值
ASEMI 的≤50V
ASEMI品牌整流橋在加嚴(yán)測(cè)試此項(xiàng)參數(shù)
并且VZ2-VZ1的差值都小于50V
國產(chǎn)的不測(cè)此參數(shù)
國產(chǎn)其他品牌整流橋不加嚴(yán)測(cè)此數(shù)據(jù)
我們都知道,芯片離散性越小,芯片越穩(wěn)定,通過此項(xiàng)加嚴(yán)檢測(cè),ASEMI品牌整流橋芯片一致
性更高,排除芯片出現(xiàn)軟擊穿特性的幾率,保證芯片在各種惡劣環(huán)境下的長期使用
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